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IXTN22N100L

IXYS SOT-227-4,miniBLOC 5
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简述:MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

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IXTN22N100L参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:22A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:600 毫欧 @ 11A,20V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:270nC @ 15V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7050pF @ 25V
功率 - 最大:700W
安装类型:底座安装

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