收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > JFET(结点场效应 > J113
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

J113

Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 5398
询价QQ:
简述:IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
参考包装数量:2000
参考包装形式:散装

与J113相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
J113,126 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 IC JFET N-CH 40V 2MA TO92-3 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):2mA @ 15V 漏极...
J113_D26Z Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):2mA @ 15V 漏极...
J113_D27Z Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):2mA @ 15V 漏极...
J112RLRAG ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):5mA @ 15V 漏极...
J112RLRA ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):5mA @ 15V 漏极...
J112RL1G ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):5mA @ 15V 漏极...

J113参数资料

PDF资料下载:

电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):2mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:-
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):35V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:500mV @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
电阻 - RDS(开):100 欧姆
安装类型:通孔
包装:散装

最近更新

型号类别