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MCH6601-TL-E

ON Semiconductor 6-SMD,无引线
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简述:MOSFET P-CH DUAL 30V 200MA MCPH6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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MCH6601-TL-E参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10.4 欧姆 @ 50mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:1.43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7.5pF @ 10V
功率 - 最大:800mW
安装类型:表面贴装

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