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MII200-12A4

IXYS Y3-DCB
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简述:MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB
参考包装数量:2
参考包装形式:

与MII200-12A4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MII300-12A4 IXYS Y3-DCB MOD IGBT RBSOA 1200V 330A Y3-DCB IGBT 类型:NPT 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
MII300-12E4 IXYS Y3-Li MOD IGBT NPT PHASE LEG Y3-LI IGBT 类型:NPT 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
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MII200-12A4参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.7V @ 15V,150A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):270A
电流 - 集电极截止(最大):10mA
Vce 时的输入电容 (Cies):11nF @ 25V
功率 - 最大:1130W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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