收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > MJ11016G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MJ11016G

ON Semiconductor TO-204AA,TO-3 303+54600
询价QQ:
简述:TRANS DARL NPN 30A 120V TO3
参考包装数量:100
参考包装形式:托盘

与MJ11016G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MJ11021 ON Semiconductor TO-204AA,TO-3 TRANS DARL PNP 15A 250V TO-3 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):15A 电压...
MJ11021G ON Semiconductor TO-204AA,TO-3 75 TRANS DARL PNP 15A 250V TO-3 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):15A 电压...
MJ11022 ON Semiconductor TO-204AA,TO-3 TRANS DARL NPN 15A 250V TO-3 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):15A 电压...
MJ11016 ON Semiconductor TO-204AA,TO-3 TRANS DARL NPN 30A 120V TO3 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):30A 电压...
MJ11015G ON Semiconductor TO-204AA,TO-3 45+16400 TRANS DARL PNP 30A 120V TO3 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):30A 电压...
MJ11012G ON Semiconductor TO-204AA,TO-3 58 TRANS DARL NPN 30A 60V TO-3 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):30A 电压...

MJ11016G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):30A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):120V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):4V @ 300mA,30A
电流 - 集电极截止(最大):1mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 20A,5V
功率 - 最大:200W
频率 - 转换:4MHz
安装类型:通孔

最近更新

型号类别