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MKI100-12E8

IXYS E3
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简述:MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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MKI100-12E8参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):165A
电流 - 集电极截止(最大):1.4mA
Vce 时的输入电容 (Cies):7.4nF @ 25V
功率 - 最大:640W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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