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MKI50-12F7

IXYS E2
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简述:MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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MKI50-12F7参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):3.8V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):65A
电流 - 集电极截止(最大):700µA
Vce 时的输入电容 (Cies):3.3nF @ 25V
功率 - 最大:350W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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