收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > MKI80-06T6K
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MKI80-06T6K

IXYS E1
询价QQ:
简述:MOD IGBT H-BRIDGE 600V 89A E1
参考包装数量:10
参考包装形式:

与MKI80-06T6K相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
M-KIT Panasonic Electronic Components 0增值物件 KIT CAP RADIAL M SERIES 170 PCS ...
MKJ1A6F13-37PA ITT Cannon, LLC 15 CONN PLUG 37POS STRGHT W/PINS ...
MKJ1A6F13-37SA ITT Cannon, LLC 15 CONN PLUG 37POS STRGHT W/SKTS ...
MKI75-12E8 IXYS E3 MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 130A E3 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MKI75-06A7T IXYS E2 IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
MKI75-06A7 IXYS E2 MOD IGBT H-BRIDGE 600V 90A E2 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...

MKI80-06T6K参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.3V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):89A
电流 - 集电极截止(最大):500µA
Vce 时的输入电容 (Cies):4.62nF @ 25V
功率 - 最大:210W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别