收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > MMIX1F44N100Q3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MMIX1F44N100Q3

IXYS 24-BESOP(0.906",23.00mm 宽)21 引线,裸露焊盘 39
询价QQ:
简述:MOSFET N CH 1000V 30A
参考包装数量:20
参考包装形式:管件

与MMIX1F44N100Q3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMIX1F520N075T2 IXYS 24-BESOP(0.906",23.00mm 宽)21 引线,裸露焊盘 10 MOSFET N CH 75V 500A FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
MMIX1T550N055T2 IXYS 24-BESOP(0.906",23.00mm 宽)21 引线,裸露焊盘 MOSFET N-CH 55V 550A SMPD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
MMIX1X100N60B3H1 IXYS * 100 IGBT 600V 105A 250W SMPD IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
MMH3111NT1 Freescale Semiconductor TO-243AA TRANS GAAS HFET SOT-89 频率:250MHz ~ 4GHz P1dB:22.5dBm(177.8mW) 增...
MMH25-0501J1 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 50POS 5A ...
MMH25-0501G1 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 50POS 5A ...

MMIX1F44N100Q3参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):245 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):264nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13600pF @ 25V
功率 - 最大值:694W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别