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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > MMUN2111LT3G
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MMUN2111LT3G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+70000
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简述:TRANS BRT PNP 50V SOT-23
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMUN2111LT3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMUN2112LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT PNP 50V SOT-23 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MMUN2112LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 30000 TRANS BRT PNP 50V SOT-23 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MMUN2113LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MMUN2111LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 68090 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MMUN2111LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MMU01020Z0000ZB300 Vishay Beyschlag MELF,0102 9000 RES 0.0 OHM .3W 0102 MELF 电阻(欧姆):0.0 功率(瓦特):0.3W 复合体:薄膜 特点:获得 AEC-...

MMUN2111LT3G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):35 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:246mW
安装类型:表面贴装

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