收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > MRF581G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MRF581G

Microsemi Power Products Group 微型-X 陶瓷 84C
询价QQ:
简述:TRANS NPN 18V 200MA MACRO X
参考包装数量:500
参考包装形式:散装

与MRF581G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MRF5AMMO Bel Fuse Inc 径向,罐状,垂直 FUSE 5A 250V FAST AMMO MRF 保险丝类型:板安装(不包括管筒式) 额定电流:5A 额定电压 - AC:250...
MRF5P20180HR5 Freescale Semiconductor NI-1230 MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 晶体管类型:LDMOS 频率:1.93GHz 增益:14dB 电压 - 测试:2...
MRF5P20180HR6 Freescale Semiconductor NI-1230 MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 晶体管类型:LDMOS 频率:1.93GHz 增益:14dB 电压 - 测试:2...
MRF581AG Microsemi Power Products Group Macro-X 828 TRANS RF NPN 5GHZ 15V MACR0 X 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V 频率 - 转换:...
MRF581A Microsemi Power Products Group 微型-X 陶瓷 84C 1037 TRANS NPN 15V 200MA MACRO X 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V 频率 - 转换:...
MRF5812GR2 Microsemi Power Products Group 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500 TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V 频率 - 转换:...

MRF581G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):18V
频率 - 转换:5GHz
噪声系数(dB典型值@频率):3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
增益:13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大:1.25W
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 50mA,5V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别