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MTM78E2B0LBF

Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products WS迷你型8-F1-B 6000
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简述:MOSFET N-CH DL 20V WSMINI8-F1-B
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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MTM78E2B0LBF参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:25 毫欧 @ 2A,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:1100pF @ 10V
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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