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MTP12P10G

ON Semiconductor TO-220-3
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简述:MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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MTP12P10G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):920pF @ 25V
功率 - 最大值:75W
安装类型:通孔

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