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MUBW50-12T8

IXYS E3
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简述:MODULE IGBT CBI E3
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与MUBW50-12T8相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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MUBW50-12T8参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道
配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.15V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):80A
电流 - 集电极截止(最大):2.7mA
Vce 时的输入电容 (Cies):3.5nF @ 25V
功率 - 最大:270W
输入:三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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