收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NDB6030PL
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NDB6030PL

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与NDB6030PL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NDB603AL Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 25A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDB6060 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NDB6060L Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 6400 MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDB6020P Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2400+3200 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDB5060L Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDB4060L Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NDB6030PL参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1570pF @ 15V
功率 - 最大值:75W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别