收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NDC631N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NDC631N

Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NDC631N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NDC632P Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDC651N Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 3.2A SSOT6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDC652P Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDC3105LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+30000 IC RELAY DRIVER SOT-23 类型:- 输入类型:- 输出数:- 导通状态电阻:- 电流 - 输出 / 通道:...
NDC3105LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC RELAY DRIVER SOT-23 类型:- 输入类型:- 输出数:- 导通状态电阻:- 电流 - 输出 / 通道:...
NDB7060L Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 408 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NDC631N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 4.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):365pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别