收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NDS355N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NDS355N

Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NDS355N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NDS356AP Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 25124 MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDS356P Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDS6D2405C Murata Power Solutions Inc 24-DIP 模块(600 mil,8 引线) 182 CONVERT DC/DC 6W 24-5V DUAL T/H 类型:隔离 输出数:2 电压 - 输入(最小):18V 电压 - 输入(最大):...
NDS355AN Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 132000 MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDS352P Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 850MA SSOT3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDS352AP Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 28246 MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NDS355N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 1.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):245pF @ 10V
功率 - 最大值:460mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别