收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > NE3511S02-A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NE3511S02-A

CEL 4-SMD,扁平引线 100
询价QQ:
简述:HJ-FET NCH 13.5DB S02
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与NE3511S02-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NE3511S02-T1C-A CEL 4-SMD,扁平引线 HJ-FET NCH 13.5DB S02 晶体管类型:HFET 频率:12GHz 增益:13.5dB 电压 - 测试:2V...
NE3512S02-A CEL 4-SMD,扁平引线 631 HJ-FET NCH 13.5DB S02 晶体管类型:HFET 频率:12GHz 增益:13.5dB 电压 - 测试:2V...
NE3512S02-T1C-A CEL 4-SMD,扁平引线 2000 HJ-FET NCH 13.5DB S02 晶体管类型:HFET 频率:12GHz 增益:13.5dB 电压 - 测试:2V...
NE3510M04-T2-A CEL SOT-343F 3000 FET RF HFET 4GHZ 2V 15MA M04 晶体管类型:HFET 频率:4GHz 增益:16dB 电压 - 测试:2V 额定...
NE3510M04-A CEL SOT-343F 147 HJ-FET N-CH 4GHZ M04 晶体管类型:HFET 频率:4GHz 增益:16dB 电压 - 测试:2V 额定...
NE3509M04-T2-A CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 晶体管类型:HFET 频率:2GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:2V ...

NE3511S02-A参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

晶体管类型:HFET
频率:12GHz
增益:13.5dB
电压 - 测试:2V
额定电流:70mA
噪音数据:0.3dB
电流 - 测试:10mA
功率 - 输出:-
电压 - 额定:4V

最近更新

型号类别