收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > NE68018-A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NE68018-A

CEL SC-82A,SOT-343
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT343
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与NE68018-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NE68018-T1-A CEL SC-82A,SOT-343 TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68019-A CEL SOT-523 210 TRANSISTOR NPN 2GHZ 3-SMD 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68019-T1 CEL SOT-523 TRANS NPN 2GHZ SMD 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE678M04-T2-A CEL SOT-343F 3000 TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6V 频率 - 转换:1...
NE678M04-EV09 CEL EVAL BOARD NE678M04 900MHZ ...
NE678M04-A CEL SOT-343F 595 TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6V 频率 - 转换:1...

NE68018-A参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V
频率 - 转换:10GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.6dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益:10.2dB ~ 14dB
功率 - 最大:150mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 10mA,6V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):35mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别