收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > NESG3031M14-A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NESG3031M14-A

CEL 4-SMD,扁平引线 120
询价QQ:
简述:TRANS NPN 5.8GHZ M14
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与NESG3031M14-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NESG3031M14-T3-A CEL 4-SMD,扁平引线 TRANS NPN 5.8GHZ M14 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V 频率 - 转换...
NESG3032M14-A CEL 4-SMD,扁平引线 0+9870 TRANS NPN 2GHZ M14 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V 频率 - 转换...
NESG3032M14-T3-A CEL 4-SMD,扁平引线 TRANS NPN 2GHZ M14 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V 频率 - 转换...
NESG3031M05-T1-A CEL M05 TRANS NPN 5.8GHZ M05 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V 频率 - 转换...
NESG3031M05-EVNF58 CEL EVAL BOARD NESG3031M05 5.8GHZ ...
NESG3031M05-EVNF24 CEL EVAL BOARD NESG3031M05 2.4GHZ ...

NESG3031M14-A参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V
频率 - 转换:-
噪声系数(dB典型值@频率):0.6dB ~ 1.5dB @ 2.4GHz ~ 5.8GHz
增益:7.5dB ~ 16dB
功率 - 最大:150mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):220 @ 6mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):35mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别