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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > NSB9435T1G
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NSB9435T1G

ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 0+6000
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简述:TRANS BRT PNP 30V BIP SOT223-4
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NSB9435T1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):125 @ 800mA,1V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:110MHz
功率 - 最大:720mW
安装类型:表面贴装

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