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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > NSM21356DW6T1G
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NSM21356DW6T1G

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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简述:TRANS PNP/NPN MONO BIAS SOT-363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NSM21356DW6T1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V,65V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 5mA,10V / 220 @ 2mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA / 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:230mW
安装类型:表面贴装

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