收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NTMD2C02R2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NTMD2C02R2

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与NTMD2C02R2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NTMD2C02R2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
NTMD2C02R2SG ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
NTMD2P01R2 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NT-MCX-G Linx Technologies Inc 500 NUT FOR MCX AND MMCX CONNECTORS ...
NTMC1300R2 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH DUAL 3A 30V 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
NTM-900 Bivar Inc LED MT SR VERT X 0.900" 3/5MM 2L ...

NTMD2C02R2参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.2A,3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:43 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1100pF @ 10V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别