收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > PHN203,518
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PHN203,518

NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与PHN203,518相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PHN210,118 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET NCH DL TRENCH 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
PHN210T,118 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 3.4A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
PH-OB OKI/Metcal SWITCH PREHEATER ON/OFF ...
PHN.3F.330.XLM LEMO RECPT CDN 30CTS ...
PHN.3F.322.XLM LEMO RECPT CDN 22CTS ...
PHN.2M.319.XLMT LEMO RECPT CDN 19CTS ...

PHN203,518参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:14.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:560pF @ 20V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别