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PMDPB65UP,115

NXP Semiconductors 6-UDFN 裸露焊盘 6000
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简述:MOSFET P-CH 20V DUAL SOT1118
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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PMDPB65UP,115参数资料

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FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:380pF @ 10V
功率 - 最大:520mW
安装类型:表面贴装

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