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PMDT290UCE,115

NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666
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简述:MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PMDT290UCE,115参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:800mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:380 毫欧 @ 500mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):0.95V @ 250µ:A
闸电荷(Qg) @ Vgs:0.68nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:83pF @ 10V
功率 - 最大:330mW
安装类型:表面贴装

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