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PMGD280UN,115

NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6000
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简述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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PMGD280UN,115参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:870mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:340 毫欧 @ 200mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:0.89nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:45pF @ 20V
功率 - 最大:400mW
安装类型:表面贴装

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