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PMGD780SN,115

NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 10788
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简述:MOSFET N-CH TRENCH DL 60V 6TSSOP
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PMGD780SN,115参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:490mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:920 毫欧 @ 300mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1.05nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:23pF @ 30V
功率 - 最大:410mW
安装类型:表面贴装

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