收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PMV117EN,215
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PMV117EN,215

NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PMV117EN,215相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PMV160UP,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V TO-236AB FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMV16UN,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 7254 MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMV170UN,215 NXP Semiconductors MOSFET N-CH SINGLE 20V TO-236AB ...
PMU-230 CBM America Corporation PRINTER THERMAL 80MM ...
PMT840004 Littelfuse Inc 轴向圆柱形,3引线(径向弯曲) 500 GP THREE ELEMENTS S.A. 400V T/H 电压 - DC 击穿(标称值):400V 脉冲放电电流 (8/20us):20k...
PMT835014 Littelfuse Inc 轴向圆柱形,3引线(T形) GP THREE ELEMENTS S.A. 350V 电压 - DC 击穿(标称值):350V 脉冲放电电流 (8/20us):20k...

PMV117EN,215参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):117 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):147pF @ 10V
功率 - 最大值:830mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别