收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > PTFA220081MV4
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PTFA220081MV4

Infineon Technologies 10-LDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:FET RF LDMOS 8W SON10
参考包装数量:500
参考包装形式:带卷 (TR)

与PTFA220081MV4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PTFA220121MV4 Infineon Technologies 10-LDFN 裸露焊盘 FET RF LDMOS 10W SON10 晶体管类型:LDMOS 频率:2.14GHz 增益:16.2dB 电压 - 测试...
PTFA240451EV1 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线 IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 晶体管类型:LDMOS 频率:2.48GHz 增益:14dB 电压 - 测试:2...
PTFA260451EV1 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线 IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 晶体管类型:LDMOS 频率:2.68GHz 增益:15dB 电压 - 测试:2...
PTFA220041MV4 Infineon Technologies 10-LDFN 裸露焊盘 FET RF LDMOS 4W SON10 晶体管类型:LDMOS 频率:940MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:...
PTFA212001FV4R250 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 晶体管类型:LDMOS 频率:2.14GHz 增益:15.8dB 电压 - 测试...
PTFA212001FV4 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 晶体管类型:LDMOS 频率:2.14GHz 增益:15.8dB 电压 - 测试...

PTFA220081MV4参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:LDMOS
频率:940MHz
增益:20.7dB
电压 - 测试:28V
额定电流:-
噪音数据:-
电流 - 测试:100mA
功率 - 输出:8W
电压 - 额定:65V

最近更新

型号类别