收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > PTFB191501EV1R250
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PTFB191501EV1R250

Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线
询价QQ:
简述:FET RF LDMOS 150W H36248-2
参考包装数量:250
参考包装形式:带卷 (TR)

与PTFB191501EV1R250相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PTFB191501FV1 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 FET RF LDMOS 150W H37248-2 晶体管类型:LDMOS 频率:1.99GHz 增益:18dB 电压 - 测试:3...
PTFB191501FV1R250 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 FET RF LDMOS 150W H37248-2 晶体管类型:LDMOS 频率:1.99GHz 增益:18dB 电压 - 测试:3...
PTFB210801FAV1 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 FET RF LDMOS 80W H37265-2 晶体管类型:LDMOS 频率:2.16GHz ~ 2.17GHz 增益:18.5...
PTFB191501EV1 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线 FET RF LDMOS 150W H36248-2 晶体管类型:LDMOS 频率:1.99GHz 增益:18dB 电压 - 测试:3...
PTFA60000LG Hammond Manufacturing 0+4 FILTER TOP MOUNT 16.9X19.9X2.9" ...
PTFA261301EV1 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线 IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 晶体管类型:LDMOS 频率:2.68GHz 增益:13.5dB 电压 - 测试...

PTFB191501EV1R250参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:LDMOS
频率:1.99GHz
增益:18dB
电压 - 测试:30V
额定电流:-
噪音数据:-
电流 - 测试:1.2A
功率 - 输出:150W
电压 - 额定:65V

最近更新

型号类别