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PUMB14,115

NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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简述:TRANS PREBIASED PNP SOT666
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PUMB14,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PUMB15,115 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
PUMB16,115 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
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PUMB11,115 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 3000 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...

PUMB14,115参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):1µA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

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