收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > QS5U36TR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

QS5U36TR

Rohm Semiconductor SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 5919
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
参考包装数量:1
参考包装形式:

与QS5U36TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
QS6J11TR Rohm Semiconductor SC-95-6 6000 MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
QS6J1TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 7363 MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
QS6J3TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
QS5U34TR Rohm Semiconductor SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 3000 MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
QS5U33TR Rohm Semiconductor SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 3000 MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
QS5U28TR Rohm Semiconductor SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 12000 MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...

QS5U36TR参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):81 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.5nc @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):280pF @ 10V
功率 - 最大值:900mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别