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QS6M3TR

Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 81000
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简述:MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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QS6M3TR参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V,20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:230 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:80pF @ 10V
功率 - 最大:1.25W
安装类型:表面贴装

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