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QS8M13TCR

Rohm Semiconductor 8-SMD,扁平引线 5993
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简述:MOSFET N/P-CH 30V 6A TSMT8
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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QS8M13TCR参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:28 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:5.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:390pF @ 10V
功率 - 最大:1.5W
安装类型:表面贴装

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