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RDN050N20

Rohm Semiconductor TO-220-3 整包
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简述:MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
参考包装数量:500
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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RDN050N20参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):720 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):292pF @ 10V
功率 - 最大值:30W
安装类型:通孔

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