收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > RHP030N03T100
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RHP030N03T100

Rohm Semiconductor TO-243AA 3000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RHP030N03T100相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RHRA1560CC Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IC DIODE HYPERFAST 600V TO-3PN 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):2.1V @ 15A 电流 - ...
RHRD660S9A Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 DIODE HYPER 6A 600V DPAK 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):600V 电流 - 平均整流 (I...
RHRD660S9A_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000+2500 DIODE HYPERFAST 600V 6A DPAK 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):600V 电流 - 平均整流 (I...
RHP020N06T100 Rohm Semiconductor TO-243AA 10000 MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RHK005N03T146 Rohm Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
RHK003N06T146 Rohm Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

RHP030N03T100参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):160pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别