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RJP020N06T100

Rohm Semiconductor TO-243AA
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简述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
参考包装数量:1
参考包装形式:

与RJP020N06T100相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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RJP020N06T100参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):240 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):160pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

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