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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > RN1406T5LFT
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RN1406T5LFT

Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RN1406T5LFT相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RN1407T5LFT Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
RN1410T5LFT Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
RN1411T5LFT Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
RN1406S,LF Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
RN1405T5LFT Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
RN1405S,LF Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...

RN1406T5LFT参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 10mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:250MHz
功率 - 最大:200mW
安装类型:表面贴装

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