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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > RN1422TE85LF
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RN1422TE85LF

Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:TRANSISTOR NPN 50V 0.8A SMINI
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RN1422TE85LF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RN1423TE85LF Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 0.8A SMINI 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA ...
RN142-4-02 Schaffner EMC Inc 水平式,4 PC 引脚 CHOKE COMPENSATED 3.3MH 4A HORZ 滤波器类型:电源线 线路数:2 电感:3.3mH 电流:4A DC 电阻(DCR...
RN1424TE85LF Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 0.8A SMINI 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA ...
RN142-2-02 Schaffner EMC Inc 水平式,4 PC 引脚 CHOKE COMPENSATED 6.8MH 2A HORZ 滤波器类型:电源线 线路数:2 电感:6.8mH 电流:2A DC 电阻(DCR...
RN1421TE85LF Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 0.8A SMINI 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA ...
RN142-1-02 Schaffner EMC Inc 水平式,4 PC 引脚 CHOKE COMPENSATED 33MH 1A HORZ 滤波器类型:电源线 线路数:2 电感:33mH 电流:1A DC 电阻(DCR)...

RN1422TE85LF参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):2.2k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):65 @ 100mA,1V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 2mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:300MHz
功率 - 最大:200mW
安装类型:表面贴装

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