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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > RN2313(TE85L,F)
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RN2313(TE85L,F)

Toshiba SC-70,SOT-323
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简述:TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RN2313(TE85L,F)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RN2314(TE85L,F) Toshiba SC-70,SOT-323 TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
RN2315TE85LF Toshiba SC-70,SOT-323 TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
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RN2312(TE85L,F) Toshiba SC-70,SOT-323 TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
RN2311(TE85L,F) Toshiba SC-70,SOT-323 TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
RN2310(TE85L,F) Toshiba SC-70,SOT-323 TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...

RN2313(TE85L,F)参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:200MHz
功率 - 最大:100mW
安装类型:表面贴装

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