收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > RSS095N05FU6TB
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RSS095N05FU6TB

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与RSS095N05FU6TB相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RSS100N03FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS100N03TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS105N03FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS090P03TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8514 MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS090P03FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS090N03FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5862 MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

RSS095N05FU6TB参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):45V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1830pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别