收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SCH1302-TL-E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SCH1302-TL-E

SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 6-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 2A SCH6
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SCH1302-TL-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SCH1330-TL-H ON Semiconductor 6-SMD,扁平引线 0+80000 MOSFET P-CH 20V 1.5A SCH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SCH1331-TL-H ON Semiconductor 6-SMD,扁平引线 0+115000 MOSFET P-CH 12V 3A SCH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SCH1332-TL-H ON Semiconductor 6-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 20V 2.5A SCH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SCH1301-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 6-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 12V 2.4A SCH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SCH114-8R6 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 8.6UH 4.2A 100KHZ 类型:- 电感:8.6µH 额定电流:4.2A 电流 - 饱和:4....
SCH114-820 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 82UH 1.45A100KHZ 类型:- 电感:82µH 额定电流:1.45A 电流 - 饱和:1....

SCH1302-TL-E参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 1A,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):410pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别