收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SCH1337-TL-H
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SCH1337-TL-H

ON Semiconductor 6-SMD,扁平引线 0+70000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 2A SCH6
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SCH1337-TL-H相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SCH1343-TL-H ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 0+60000 MOSFET P-CH 20V 3.5A SCH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SCH1430-TL-H ON Semiconductor 6-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 20V 2A SCH6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SCH1433-TL-H ON Semiconductor 6-SMD,扁平引线 0+1710000 MOSFET N-CH 20V 3.5A SCH6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SCH1335-TL-H ON Semiconductor 6-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 12V 2.5A SCH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SCH1334-TL-H ON Semiconductor 6-SMD,扁平引线 0+40000 MOSFET P-CH 12V 1.6A SCH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SCH1333-TL-H ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 MOSFET P-CH 20V 2A SCH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SCH1337-TL-H参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):172pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别