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SH8M2TB1

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500
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简述:MOSFET N/P-CH 30V SOP8
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SH8M2TB1参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:83 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:3.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:140pF @ 10V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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