收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI1013X-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI1013X-T1-E3

Vishay Siliconix SC-89,SOT-490
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI1013X-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix SC-89,SOT-490 3000 MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI-10141 Stewart Connector CONN MAGJACK 1PORT SHLD 10BT S ...
SI1014-A-GM Silicon Laboratories Inc 42-WFQFN 裸露焊盘 89 IC TXRX MCU + EZRADIOPRO 频率:240MHz ~ 960MHz 数据传输率 - 最大:256kbps 调制...
SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix SC-75A 15000 MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1013R-T1-E3 Vishay Siliconix SC-75A MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1013-A-GM Silicon Laboratories Inc 42-WFQFN 裸露焊盘 134 IC TXRX MCU + EZRADIOPRO 频率:240MHz ~ 960MHz 数据传输率 - 最大:256kbps 调制...

SI1013X-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):350mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别