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SI1032X-T1-GE3

Vishay Siliconix SC-89,SOT-490 16721
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简述:MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI1032X-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.75nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装

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