收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI1071X-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI1071X-T1-E3

Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 960MA SOT563F
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI1071X-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI1071X-T1-GE3 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 7629 MOSFET P-CH 30V 960MA SC89-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1072X-T1-E3 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1072X-T1-GE3 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 MOSFET N-CH 30V SC89 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1070X-T1-GE3 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 9000 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1070X-T1-E3 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1069X-T1-GE3 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 3000 MOSFET P-CH 20V 940MA SC89-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI1071X-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):-
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):167 毫欧 @ 960mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.45V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.64nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):315pF @ 15V
功率 - 最大值:236mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别