收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI3460DDV-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI3460DDV-T1-GE3

Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) 3000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI3460DDV-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI3460DV-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI3460DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI3460-E02-GM Silicon Laboratories Inc 10-VFDFN 裸露焊盘 IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN 应用:供电设备(PSE) 电流 - 电源:500mA 电源电压:2.7 V ~ ...
SI3460BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) 42000 MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI3459DV-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI3460DDV-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 5.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):666pF @ 10V
功率 - 最大值:2.7W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别