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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI4310BDY-T1-E3
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SI4310BDY-T1-E3

Vishay Siliconix 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 14SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI4311-B21-GM Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 225 IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN 频率:315MHz,434MHz 灵敏度:-104dBm 数据传输率 - 最大:...
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SI4310BDY-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.5A,9.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:11 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:18nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:2370pF @ 15V
功率 - 最大:1.14W,1.47W
安装类型:表面贴装

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